เป้าหมายโลหะผสมนิกเกิล- (NiSi) ประกอบด้วยส่วนผสมของนิกเกิล (Ni) และซิลิคอน (Si) ซึ่งโดยปกติจะมีความบริสุทธิ์ 99.9 % (3N) หรือสูงกว่า จากผลของการนำไฟฟ้าและการนำความร้อนของนิกเกิลร่วมกับคุณลักษณะเซมิคอนดักเตอร์ของซิลิคอน วัสดุเหล่านี้จึงจัดเป็น "โลหะผสมที่มีอุณหภูมิสูง-" และเป็นแหล่งสปัตเตอร์สำหรับฟิล์มเชิงฟังก์ชัน เป้าหมายการสปัตเตอร์โลหะผสมซิลิคอน (NiSi) ของ Ni- ทำหน้าที่สำคัญในการผลิตชั้นซิลิไซด์ที่มีความต้านทานต่ำ-ในภาคเซมิคอนดักเตอร์ Neurotech ในฐานะฟิล์ม NiSi แสดงให้เห็นถึงการนำไฟฟ้าที่โดดเด่นพร้อมกับความเสถียรทางความร้อนที่ดีสำหรับใช้ในการเชื่อมต่อระหว่างกันและหน้าสัมผัสโอห์มมิกในวงจรรวม เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถือของอุปกรณ์เงิน โลหะผสมและซิลิกอนจะก่อตัวเป็นนิกเกิลซิลิไซด์ ซึ่งเป็นส่วนประกอบสำคัญในเทคโนโลยี CMOS ขั้นสูงสำหรับการเชื่อมต่อทางไฟฟ้าที่มีประสิทธิภาพสูง{10}} รวดเร็ว และมีประสิทธิภาพ
วิธีการเตรียมวัสดุเป้าหมายโลหะผสมนิกเกิล-
1. การเตรียมวัตถุดิบ เพื่อให้ได้ผลลัพธ์ที่ดีที่สุด เราใช้เฉพาะนิกเกิลบริสุทธิ์และซิลิคอนบริสุทธิ์เท่านั้น และวัดปริมาณปริมาณสัมพันธ์ที่แม่นยำตามเฟสโลหะผสมเป้าหมาย (เช่น Ni/Si 90/10 ที่%, 80/20 ที่%)
2. การหลอมแบบสุญญากาศ วัตถุดิบซิลิคอนและนิกเกิลถูกเทลงในถ้วยใส่ตัวอย่าง (มักจะเป็นถ้วยใส่ตัวอย่างทองแดงที่ระบายความร้อนด้วยน้ำ-) การเหนี่ยวนำความร้อนจะละลายเซอร์โคเนียมอย่างสมบูรณ์และก่อตัวเป็นโลหะผสมที่หลอมละลาย สิ่งนี้เกิดขึ้นในสภาพแวดล้อมสุญญากาศที่มีอุณหภูมิสูง-ต่ำ-ซึ่งมีก๊าซเจือปน เช่น H, O และ N ในระหว่างขั้นตอนการหลอมเหลว เราใช้การกวนด้วยแม่เหล็กไฟฟ้าเพื่อปรับแต่งเซอร์โคเนียมเพิ่มเติมเพื่อให้ได้โลหะผสมเหลว โลหะผสมที่หลอมละลายจะถูกเทลงในแม่พิมพ์ทองแดง ระบายความร้อน และแข็งตัวเป็นแท่งโลหะผสมนิกเกิล-
3. การบำบัดความร้อนให้เป็นเนื้อเดียวกัน แท่งโลหะจะถูกวางในการอบชุบด้วยความร้อนที่เป็นเนื้อเดียวกันในสุญญากาศหรือในบรรยากาศที่มีการป้องกัน (เช่น ก๊าซอาร์) รอบๆ เขาจะถูกเก็บไว้ที่อุณหภูมิต่ำกว่าอุณหภูมิโซลิดัสให้นานที่สุดเท่าที่จะทำได้ (เช่น 1000402 เป็นเวลา 10 ชั่วโมง)
4. การกลึงร้อน (การตีขึ้นรูปร้อน/การรีดร้อน): ลิ่มโลหะที่เป็นเนื้อเดียวกันจะถูกให้ความร้อนสูงกว่าอุณหภูมิการตกผลึกใหม่ (เช่น 800-1000 องศา ) จากนั้นจึงนำไปหลอมร้อนหรือรีดร้อน
5. การตัดเฉือน: เหล็กแท่งที่ผ่านการแปรรูปแบบร้อน-จะถูกตัดเฉือนตามขนาดเป้าหมายและรูปร่างสุดท้ายของวัสดุเป้าหมายด้วยความแม่นยำสูงโดยใช้เครื่องหมุนและกัดและวิธีการเจียร
การใช้งานเป้าหมายสปัตเตอร์โลหะผสมนิกเกิล-
สารกึ่งตัวนำเชื่อมต่อระหว่างกัน/ชั้นสัมผัส: ฟิล์มบางของ NiSi ทำหน้าที่เป็นโลหะสัมผัส ซึ่งช่วยลดความต้านทานต่อการสัมผัส
ตัวต้านทานแบบฟิล์มบางและสเตรนเกจ: คุณลักษณะค่าสัมประสิทธิ์ความต้านทาน (TCR) อุณหภูมิต่ำทำให้เหมาะสำหรับไอซีไฮบริดและเซ็นเซอร์ความดัน MEMS
ชั้นการปล่อยอิเล็กตรอนบนพื้นผิว: ใช้เป็นวัสดุตัวปล่อยในไมโครอิเล็กทรอนิกส์สุญญากาศและอุปกรณ์ปล่อยสนาม
สารเคลือบประหยัด-E และพลังงาน-: เมื่อรวมกับโครเมียมและซิลิคอน จะช่วยเพิ่มความต้านทานต่อการเกิดออกซิเดชันและความต้านทานการกัดกร่อนของฟิล์มแก้วได้
เซลล์แสงอาทิตย์และจอแสดงผล: ใช้สำหรับการสปัตเตอร์แบบรวมของฟิล์มนำไฟฟ้าโปร่งใส อิเล็กโทรด หรือชั้นกั้น
